Залевський Денис Віталійович
E-mail: [email protected]
Тема дисертації: «Електронні властивості матеріалів для Resistive Random Access Memory».
Освіта:
• вересень 2012 р. – червень 2016 р., «Криворізький національний університет», фізико-математичний факультет, спеціальність «фізика (інформатика)», диплом бакалавра з відзнакою;
• вересень 2016 р. – січень 2018 р., «Криворізький державний педагогічний університет», фізико-математичний факультет, спеціальність «фізика (інформатика)», диплом магістра з відзнакою.
• серпень 2018 р. – 2022 рік, аспірантура, «Криворізький державний педагогічний університет», спеціальність «104 Фізика та астрономія».
Диплом доктора філософії за спеціальністю 104 Фізика та астрономія. Захист відбувся 14.06.2023 у Разовій Спеціалізованій вченій раді у Криворізькому державному педагогічному університеті (Наказ від 14 квітня 2023 року №194 ).
Обґрунтування теми дисертації: Останнім часом пам’ять з резистивним перемиканням або резистивна пам’ять з довільним доступом (RRAM) стала одним з найбільш перспективних кандидатів на роль енергонезалежної пам’яті наступного покоління. Цей тип пам’яті може замінити флеш-пам’ять через низку переваг. Тому дослідження властивостей матеріалів робочого шару RRAM наразі є актуальним завданням.
Робота в ході дисертаційного дослідження: досліджено електронні властивості матеріалів SiGe, HfO2, GeTe-Sb2Te3: просторовий розподіл густини валентних електронів, густину електронних станів, ширину забороненої зони для цих матеріалів тощо.
Основні наукові результати:
1. Balabai R. Electronic Properties of Graphene/ZnO 2D-2D Heterocomposite / R. Balabai, A. Zdeshchyts, D. Zalevskyi // Semiconductor Physics, Quantum Electronics And Optoelectronics. – 2018. V. 21(1). P. 65-72. https://doi.org/10.15407/spqeo21.01.065 (Scopus)
2. Balabai R. SiGe Epitaxial Films with Dislocations for the Switchable Memory: the Accurate First-Principle Calculations / R. Balabai, D. Zalevskyi // Physics and Chemistry of Solid State. – 2019. V. 20(3). P. 247-256. https://doi.org/10.15330/pcss.20.3.247-256 (Web of science)
3. Balabai R. Properties of materials for resistive RAM based on HfO2 (first principles calculations) / R. Balabai, D. Zalevskyi // Molecular Crystals and Liquid Crystals. – 2020. V. 700(1). P. 95-106. https://doi.org/10.1080/15421406.2020.1732556 (Scopus)
4. Zalevskyi D. Ab initio simulation of resistive memory based on GeTe–Sb2Te3 alloys / D. Zalevskyi, R. Balabai // Molecular Crystals and Liquid Crystals. – 2021. V. 719(1). P. 79-89. https://doi.org/10.1080/15421406.2021.1905285 (Scopus)
Апробація матеріалів:
1. Balabai R. Flexible 2D layered material junctions / R. Balabai, D. Zalevskyi, A. Lubenetsz // The International research and practice conference “Nanotechnology and Nanomaterials” (NANO-2017). Abstract Book of participants of the International Summer School and International research and practice conference, Chernivtsi, August 23-26, 2017. – P.198.
2. Balabai R. SiGe Epitaxial Films with Dislocations for the Switchable Memory: the Accurate First-Principle Calculations / R. Balabai, D. Zalevskyi // Abstract Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems XVII Freik International Conference, Yaremche, May 20-25, 2019. – P. 297.
3. Balabai R. Properties of materials for resistive RAM based on HfO2 (first principles calculations) / R. Balabai, D. Zalevskyi // Abstract 7th International Conference Nanotechnologies and Nanomaterials, Lviv, August 27-30, 2019. – P. 115.
4. Balabai R. Ab-initio simulation of resistive memory based on GeTe-Sb2Te3 alloys / R. Balabai, D. Zalevskyi // Abstract Book of participants of the International research and practice conference "Nanotechnologies and Nanomaterials" NANO-2020, Lviv, August 26-29, 2020. – P. 118.
5. Залевський Д. Роль вакансії кисню в механізмі перемикання у резистивній пам’яті на основі ZnO (розрахунки з перших принципів) / Д. Залевський // Тези доповідей на V Всеукраїнській науково-практичній конференції «Перспективні напрямки сучасної електроніки, інформаційних і комп'ютерних систем», Дніпро, 25-27 листопада, 2020. – С.151-152.
6. Balabai R. The role of oxygen vacancy in the switching mechanism in ZnO-based resistive memory (first principles calculations) / R. Balabai, D. Zalevskyi // Abstract Book of participants of the European Materials Research Society Spring Meeting 2021 Conference, Strasbourg, May 31 – June 3, 2021.
7. Zalevskyi D. Properties of materials for ResistiveRAM (First Principles Calculations) / D. Zalevskyi // Abstract book of XVIII International Freik Conference Physics and Technology of Thin Films and Nanosystems, Ivano-Frankivsk, October 11-16, 2021. – P. 91.
Досвід роботи:
• вересень 2018 р. – червень 2019 р. – асистент кафедри фізики КДПУ
• вересень 2017 р. – січень 2018 р. – молодший науковий співробітник на кафедрі фізики КДПУ;
• вересень 2017 р. – січень 2018 р. – вчитель фізики у Криворізькому науково-технічному металургійному ліцеї;
Досягнення:
4 місце на Всеукраїнській студентській олімпіаді з фізики 2016 р. (3 місце серед педагогічних навчальних закладів), нагороджений грамотою за найоригінальніший розв’язок задачі.
7 місце на Всеукраїнській студентській олімпіаді з фізики 2015 р., нагороджений грамотою за найоригінальніший розв’язок задачі.
« Кращий студент спеціальності «Фізика» » (2014 р., 2015 р).
Переможець університетських предметних олімпіад з фізики ( 1, 2, 3, 4, 5 курс).
Отримував стипендії ім. Г. Гутовського, Верховної Ради України, Президента України, Дніпропетровської обласної ради.
Переможець олімпіади Криворізького національного університету з філософії.
2 місце на олімпіаді Криворізького державного педагогічного університету з економіки.
Занесений на дошку «Гордість факультету».
Нагороджений як лідер науково-дослідної роботи університету (2016 р.).
4 місце на Всеукраїнському конкурсі-захисті студентських наукових робіт з Фізики (секція «Теоретична фізика) (2017 р).
Автор і розробник тренінгу «Суперпам'ять: мнемотехніка та розвиток пам'яті».
Автор книги «Мнемотехніка: як швидко запам’ятовувати і перестати забувати».
